大數(shù)據(jù)時(shí)代對(duì)數(shù)據(jù)中心提出革命性需求，作為數(shù)據(jù)載體和驅(qū)動(dòng)力量——存儲(chǔ)系統(tǒng)，成為大數(shù)據(jù)基礎(chǔ)架構(gòu)中最為關(guān)鍵的核心。傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心無論是在性能、效率，還是在投資收益、安全，已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足新興應(yīng)用的需求，數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)急需新型大數(shù)據(jù)處理中心來支撐。

    除了要具備高性能、高安全、高可靠等特征之外，還要有彈性擴(kuò)展、異構(gòu)資源整合、全局緩存加速等多方面的特點(diǎn)，才能滿足具備大數(shù)據(jù)特征的業(yè)務(wù)應(yīng)用需求。尤其在云安防高清技術(shù)的普及，大數(shù)據(jù)對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的容量、可靠性、擴(kuò)展性等都提出了更高的要求，而目前市場(chǎng)上主要有基于嵌入式架構(gòu)、X86架構(gòu)、云技術(shù)的三大存儲(chǔ)架構(gòu)。

   我國金融、電信、稅務(wù)等國家重點(diǎn)部門中，98%的存儲(chǔ)系統(tǒng)采用國外產(chǎn)品，同時(shí)，高端存儲(chǔ)系統(tǒng)的核心技術(shù)大都被國外存儲(chǔ)廠商壟斷，這給國家信息安全帶來了較大的安全隱患，因此，突破國外廠商的壟斷，研發(fā)出擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高端存儲(chǔ)技術(shù)已迫在眉睫。目前，閃存芯片存儲(chǔ)技術(shù)以高存儲(chǔ)密度、低功耗、擦寫次數(shù)快等優(yōu)勢(shì)占據(jù)了非揮發(fā)性存儲(chǔ)芯片的壟斷地位，但隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展，閃存芯片存儲(chǔ)技術(shù)遇到了技術(shù)瓶頸，而新一代存儲(chǔ)技術(shù)——阻變存儲(chǔ)器有望成為閃存芯片存儲(chǔ)技術(shù)的替代者。

　　有專家指出，在阻變存儲(chǔ)器領(lǐng)域，美國、日本、韓國等國家的企業(yè)研發(fā)起步較早，且企業(yè)之間不斷加強(qiáng)合作，掌握了該領(lǐng)域的諸多核心技術(shù)，而中國的研究力量比較分散，只有一些高校和科研機(jī)構(gòu)進(jìn)行了基礎(chǔ)性研究。對(duì)此，專家建議，我國研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)應(yīng)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，共同攻關(guān)，同時(shí)加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研合作，將創(chuàng)新成果盡快轉(zhuǎn)化為產(chǎn)品。

　　已經(jīng)輸在起跑線上？

　　作為一項(xiàng)新興技術(shù)，阻變存儲(chǔ)器于2000年才被人們所關(guān)注。那一年，美國休斯敦大學(xué)的一個(gè)研究小組報(bào)道了PCMO氧化物薄膜電阻轉(zhuǎn)換特性后，各研究機(jī)構(gòu)開始投入大量人力、物力研究阻變存儲(chǔ)器，并展開了專利布局。國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局于2015年發(fā)布了《

高端存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告》（下稱《報(bào)告》）。該《報(bào)告》由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利局審查業(yè)務(wù)管理部組織，國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利局電學(xué)發(fā)明審查部負(fù)責(zé)實(shí)施。高端存儲(chǔ)課題組研究成員杭雪蒙經(jīng)過全球?qū)＠墨I(xiàn)檢索發(fā)現(xiàn)，截至2014年10月30日，在阻變存儲(chǔ)器領(lǐng)域，全球申請(qǐng)人共提交了4168件專利申請(qǐng)，其中，美國、日本、韓國的申請(qǐng)人提交的專利申請(qǐng)量位居前三位，分別為1519件、1091件、720件，中國申請(qǐng)人提交的專利申請(qǐng)量為410件，位居第四位。

　　“美國、日本、韓國的各大半導(dǎo)體公司在阻變存儲(chǔ)器領(lǐng)域的研發(fā)起步較早，掌握了該領(lǐng)域的諸多核心技術(shù)，目前，這些公司都已經(jīng)生產(chǎn)出測(cè)試產(chǎn)品，但還沒有實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。此外，在積極開展技術(shù)研發(fā)的同時(shí)，這些公司還通過合作和并購等形式，實(shí)現(xiàn)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合、優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)?！焙佳┟稍诮邮苤袊R(shí)產(chǎn)權(quán)報(bào)記者采訪時(shí)介紹。目前，國外企業(yè)的聯(lián)合研發(fā)已初見成效。

　　創(chuàng)新成果難以轉(zhuǎn)化？

　　近幾年，我國阻變存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)雖然發(fā)展迅速，但仍面臨研發(fā)機(jī)構(gòu)各自為戰(zhàn)、產(chǎn)學(xué)研程度不高等諸多困難。我國高校和研究機(jī)構(gòu)各自為戰(zhàn)是影響阻變存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的障礙之一，與阻變存儲(chǔ)器相關(guān)的物理學(xué)、材料學(xué)、微電子學(xué)以及其他相關(guān)學(xué)科的科研人員還沒有形成合力。

　　如何實(shí)現(xiàn)逆勢(shì)趕超？

　　創(chuàng)新成果難以轉(zhuǎn)化為產(chǎn)品已嚴(yán)重制約了國內(nèi)阻變存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，那么，國內(nèi)阻變存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)應(yīng)如何實(shí)現(xiàn)彎道超車？國內(nèi)企業(yè)應(yīng)在加強(qiáng)基礎(chǔ)性研究的同時(shí)，開展器件研究，以產(chǎn)品為導(dǎo)向，重點(diǎn)研究器件化過程中的核心技術(shù)。此外，國家相關(guān)部門和企業(yè)需要加大投入，搭建阻變存儲(chǔ)器理論研究和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的橋梁，以加快創(chuàng)新成果的轉(zhuǎn)化進(jìn)程。我國研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)還應(yīng)加強(qiáng)合作，共同研發(fā)，盡快將創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化為產(chǎn)品。

   制約我國阻變存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要問題在于投入不夠，國家相關(guān)部門和企業(yè)應(yīng)加大投入，并在阻變存儲(chǔ)器材料、工藝、器件、集成等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域加大研發(fā)力度，加快專利布局，為我國在下一代非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域占據(jù)一席之地奠定基礎(chǔ)。值得一提的是，在應(yīng)對(duì)困難的同時(shí)，我國阻變存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)也迎來一些利好政策，可謂機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存。